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65nm工艺台积电宣布工艺和制造展望

发布时间:2020-07-21 19:32:32 阅读: 来源:植绒机厂家

台湾的半导体厂台积电在SanJose开的会议上宣传他们的65nm工艺,说第一块晶元会在今年11月份生产出来。 台积电说FPGA厂商Altera和其他一些客户已经提出了65nm的设计和原型,这些设计方案将在今年下半年提交给台积电。他们称65nm工艺比之90nm用在在SOC上面可以提高两倍的器件密度。 台积电的第一代65nm技术叫Nexsys,将在11月份开始生产,它对低功耗进行了优化,在2006年将有另一个高速的技术,到2006年年底将出现一般的65nm工艺。2007年还将推出一个SOI版本和一个超高速版本。据说Nexsys比90nm工艺提高50%速度,降低20%功耗。65nm工艺将包含strainedsilicon和nickelsilicide,并且是台积电的第三代low-k工艺,第四代铜互连工艺。而且可能是台积电第一代使用immersionlithography的工艺。 另外有消息说台积电正在进行80nm的过渡工艺,这是对90nm的改进,并且有普通的,高速的,低功耗的等版本。之前台积电也有对130nm的改进,即110nm工艺。还有关于台积电45nm工艺的消息,说在2008年会出现这样的工艺。45nm工艺将使用铜互连,ultralow-k和immersionlithography。发言人认为high-k技术在45nm工艺上还不能使用。 台积电说他们在2004年的成绩是全球第二大半导体厂商,落后于Intel,不过领先于三星。台积电的消息真多,他们在开一个会议。从这些消息可以看出工艺的大致发展路线图。

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