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英特尔10纳米验证可行拟用35族材料

发布时间:2021-01-21 04:44:01 阅读: 来源:植绒机厂家

今日上午,主题为“创新点亮未来”的2011英特尔中国大学峰会(Intel China Academic Forum,ICAF)在大连召开。英特尔公司技术与制造事业部高级院士制程架构与集成总监马博(Mark hr)在会上指出,晶体管制程微缩通过提升性能、降低能耗和成本已经成为我们工业发展的引擎。传统的支撑微缩技术在21世纪初硅晶片栅氧化层进入纳米级的时候就已经成为强弩之末。

马博谈到,为了解决传统晶体管制作工艺的瓶颈问题,一些创新的技术,比如应变硅和高K金属栅极晶体管技术以至于现在的三栅极晶体管技术就被行业应用起来。未来的技术将会更加依靠材料和结构的创新,而这样的发明创造则需要高度协调的研究-开发-制造流程。

马博在接受采访时指出,“半导体产业的指路明灯摩尔定律会延续,但是让其延续的因素发生了变化,不单是结构,还有材料上面都发生了转变。”

马博告诉记者,“英特尔在90纳米时,采用了全新的应变硅,而到了45纳米采用了高K栅极,到了22纳米时,英特尔将采用3D晶体管技术。不断的创新,是摩尔定律得以延续的根本。”

马博向记者透露,“目前英特尔的22纳米接近量产,而14纳米制程正在研究之中,未来的10纳米验证是可行的,但是并没有清晰的路线,而且有多种可行性的研究,比如可能会使用3-5族材料。”

谈到英特尔研究,马博特意提到,“我们的研究并不是关起门来自己做研究,我们与第三方机构,诸如大学等的合作是英特尔研究的重要战略。”

对于英特尔与中国大学的合作,马博表示,“目前英特尔与中国大学的合作还主要偏重在软件和嵌入式研究方面。但是我对未来与中国大学在制程技术和晶体管技术的合作充满期待。”

马博同时指出,“半导体行业的发展很快,不管是中国之外的大学还是中国内的大学而言,要跟上制程技术和晶体管技术的发展,都是一件很难的事情,需要大量的人力和资金支持。我对中国大学有一点建议,大学的合作变得更加有效,在研究领域,超越CMOS,新的想法,比如旋转式的、电磁设备等可以进行研究的领域。”

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